Güç MOSFET’ lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri


SEZGİN H. G. , ÖZÇELEP Y.

Eleco 2014 Elektrik – Elektronik – Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyum, Bursa, Türkiye, 27 - 29 November 2014, ss.437-441

  • Basıldığı Şehir: Bursa
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayısı: ss.437-441

Özet

Bu çalışmada, dikey yapılı güç MOSFET’ lerine (VDMOS) 6
saate kadar sabit yorma gerilimi uygulanarak, terminaller
arası kapasitelerin yorma süresiyle elektriksel yorma kaynaklı
değişimleri incelenmiştir. Analog uygulama olarak MOSFET’
li kuvvetlendirici devresi seçilmiş ve kuvvetlendirici devresinin
kazanç - frekans karakteristiği yormaya bağlı olarak
çıkartılmıştır. Kazanç, alt kesim ve üst kesim frekansı
değişimleri çıkarılan bu karakteristik eğri yardımıyla
hesaplanmıştır. Devrenin band genişliği, kazanç*band
genişliği gibi parametrelerinin değişen transistör
parametreleri ile ilişkisi incelenmiştir. Elde edilen deneysel
bulgular benzetim çalışmalarıyla desteklenmiştir. Deneysel
olarak bulunan üst kesim frekansı değişiminin, benzetim
çalışmasında da elde edilebilmesi için alternatif bir benzetim
sistemi önerilmiştir.
 
In the study, vertical structure power MOSFETs (VDMOS) are
degraded under constant stress and stress induced changes in
interterminal capacitances are determined during stress time.
MOSFET amplifier is selected as an analog application and
stress induced changes in amplifier gain-frequency
characteristic is extracted. We calculated changes in gain, low
cut-off frequency and high cut-off frequency using gainfrequency
characteristics. We investigated bandwidth and
gain*bandwidth changes with the changing transistor
parameters. Obtained experimental findings is supported by
simulation studies.We proposed an alternatively simulation to
obtain the high cut-off frequency.